红外与毫米波学报, 2001, 20 (3): 174, 网络出版: 2006-05-10   

HgCdTe分子束外延In掺杂研究

INDIUM DOPING ON MBE GROWN HgCdTe
作者单位
半导体材料与器件研究中心及国家红外物理实验室,上海200083
摘要
报道了用MBE方法生长掺In的n型HgCdTe材料的研究结果.发现In作为n型施主在HgCdTe中电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在~3×1015cm-3水平.比较了高温退火前后In在HgCdTe中的扩散行为,得出在400℃温度下In的扩散系数约为10-14cm2/s,并确认了In原子作为HgCdTe材料的n型掺杂剂的可用性和有效性.
Abstract
The results of indium doping on MBE grown HgCdTe were described.It was found that the indium electrical activation was close to 100% in HgCdTe and the donor activation energy was at least smaller than 0.6meV. It was confirmed that a donor concentration of ~3×1015cm-3 was necessarily preserved for infrared FPAs applications. The diffusion behavior of indium was studied by thermal annealing, and a diffusion coefficient of ~10-14cm2/sec at 400℃ was obtained, which confirms the feasibility and validity of indium as an n-type dopant.

巫艳, 王善力, 陈路, 于梅芳, 乔怡敏, 何力. HgCdTe分子束外延In掺杂研究[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(3): 174. 巫艳, 王善力, 陈路, 于梅芳, 乔怡敏, 何力. INDIUM DOPING ON MBE GROWN HgCdTe[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(3): 174.

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