红外与毫米波学报, 2001, 20 (6): 411, 网络出版: 2006-05-10  

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器特性非对称性分析

ASYMMETRY IN THE CHARACTERISTIC OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR
作者单位
1 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海,200083
2 中国科学院北京物理研究所,北京,100080
摘要
在分子束外延生长量子阱材料过程中,分析了在不同的GaAs/AlGaAs异质结生长次序中Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称,讨论了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较.发现,采用分子束外延方法生长器件的不对称性更明显.
Abstract
The asymmetry in the characteristic of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector (QWIP) due to different Ga desorption rate upon opening /closing the Al shutter and different diffusion of Si doping in the quantum well during MBE growth was analyzed,and that in the parameters of GaAs/AlGaAs QWIP versus bias was discussed and compared with the materials and devices grown by MOVCD method. It was found that the asymmetry of QWIP grown by MBE is higher than that of QWIP grown by MOCVD.

李娜, 李宁, 陆卫, 袁先漳, 李志锋, 窦红飞, 刘京郊, 沈学础, 金莉, 李宏伟, 周均铭, 黄绮. GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器特性非对称性分析[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(6): 411. 李娜, 李宁, 陆卫, 袁先漳, 李志锋, 窦红飞, 刘京郊, 沈学础, 金莉, 李宏伟, 周均铭, 黄绮. ASYMMETRY IN THE CHARACTERISTIC OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(6): 411.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!