强激光与粒子束, 2004, 16 (11): 1481, 网络出版: 2006-05-15   

基于MOSFET的固体开关技术实验研究

Experiment on MOSFET solid state switch
作者单位
中国工程物理研究院,流体物理研究所106室,四川,绵阳,621900
摘要
采用两只1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术.单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出.两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出.两器件串联开关获得了1.6kV,2MHz重复频率脉冲串输出.
Abstract
The key technologies of building a high repetition rate solid state switch were studied with two power MOSFET components, two MOSFET drivers, and fiber as high voltage isolator and optical data link. These technologies are trigger signal high voltage isolation technology, power MOSFET drive technology, power MOSFET parallel link and series link technology. Outputs of 1kV, 13A, 4MHz repetition rate on single MOSFET switch, 1.6kV, 2MHz repetition rate on two series MOSFET switch,and 130A, and 2MHz repetition rate output on two parallel MOSFET switch have been got.

赵军平, 章林文, 李劲. 基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(11): 1481. ZHAO Jun-ping, ZHANG Lin-wen, LI Jin. Experiment on MOSFET solid state switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16(11): 1481.

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