量子电子学报, 2002, 19 (4): 310, 网络出版: 2006-05-15   

Nd:GdVO4的晶体生长和光谱特性

Crystal Growth and Spectral Properties of Nd:GdVO4
作者单位
中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
摘要
本文用提拉法生长出尺寸达φ30 mm×40 mm的优质Nd:GdVO4晶体,研究了其光谱特性.该晶体的吸收边为342 nm,在809 nm的吸收系数为4.61/cm.在342~2500 nm,Nd:GdVO4晶体的吸收主要为Nd3+的特征吸收.
Abstract
In this article, the excellent single crystal Nd:GdVO4 with dimension of 30 mmx40 mm has been grown and its transmission spectrum has been studied. The absorption coefficient of Nd:GdVO4 at 809 nm is 4.61cm-1. In 200~342 nm , Nd:GdVO4 has strong host absorption and its absorption edge lies in 342 nm . In 342~2500 nm, the absorption of Nd:GdVO4 is mainly from the characteristic absorption of Nd3+.

张庆礼, 殷绍唐, 王爱华, 陈长水. Nd:GdVO4的晶体生长和光谱特性[J]. 量子电子学报, 2002, 19(4): 310. 张庆礼, 殷绍唐, 王爱华, 陈长水. Crystal Growth and Spectral Properties of Nd:GdVO4[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2002, 19(4): 310.

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