量子电子学报, 2002, 19 (6): 496, 网络出版: 2006-05-15  

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

Topography and Growth Defects in Laser Crystal Nd:YVO4
作者单位
1 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
2 中国科学院化工冶金研究所,北京,100080
3 中国科学院北京高能物理研究所,北京,100039
4 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,210080
摘要
本文报道了应用环境扫描电镜(ESEM)和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的(001)面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.
Abstract
In this paper, environmental scanning electron microscopy (ESEM) and synchrotron radiation white beam X-ray topography (SRWBT) are applied to study the topography and growth defects in Nd:YVO4 laser crystal. The ESEM topographic images of crack surface and the SRWBT topographic images of crystal defects are obtained, through which defects such as dislocations and inclusions are observed, which are useful for growing high-quality laser crystal Nd:YVO4 by the pulling method.

肖敬忠, 王毅, 黄朝红, 邵曼君, 田玉莲, 黄万霞, 杭寅, 王爱华, 殷绍唐. 激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷[J]. 量子电子学报, 2002, 19(6): 496. 肖敬忠, 王毅, 黄朝红, 邵曼君, 田玉莲, 黄万霞, 杭寅, 王爱华, 殷绍唐. Topography and Growth Defects in Laser Crystal Nd:YVO4[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2002, 19(6): 496.

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