原子与分子物理学报, 2006, 23 (1): 71, 网络出版: 2006-10-17
Si材料中60°位错的分子动力学研究
Molecular dynamics study on the 60° dislocation in silicon
摘要
本文使用Stillinger-Weber势函数和周期性边界条件,通过在原子尺度上的分子动力学计算研究了60°位错的位错心能量和运动情况.首先提出了相对简单的建立位错偶极子的新方法.在此基础上,借助于最近得到的对周期性映像作用的评估理论,由不同大小的3维计算模型得到的位错心能量的平均值为0.43 eV,这一结果不同于先前文献中的报导.另一方面,为研究位错运动在较大温度和压力范围下的表现,提出了相应解决方法来避免位错心在高温模拟环境时测量的不精确性.模拟结果显示位错速度相对于温度的变化曲线表现为波动形式.而且,位错的速度随模拟温度的升高而降低,这一结果与声子拖拽模型相吻合.
Abstract
李根, 孟庆元, 杨立军, 李成祥. Si材料中60°位错的分子动力学研究[J]. 原子与分子物理学报, 2006, 23(1): 71. 李根, 孟庆元, 杨立军, 李成祥. Molecular dynamics study on the 60° dislocation in silicon[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2006, 23(1): 71.
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