中国激光, 1998, 25 (1): 37, 网络出版: 2006-10-18   

利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率

Study of the Frequency Stabilization of InGaAsP Semiconductor Laser Using the Optogalvanic Effect of a Gas Absorption Cell
作者单位
1 电子科技大学光电子技术系,成都 610054
2 Department of Electrical Engineering, University of Delaware, Newark USA
摘要
采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变,即“光电压”信号作为频率标准,对InGaAsP长波长半导体激光器进行稳频。
Abstract
The preliminary result of the frequency stabilization of an InGaAsP semiconductor laser using the optogalvanic effect of a gas absorption cell is reported. The optogalvanic signal of the discharge absorption cell is used as a frequency standard.

王瑞峰, 蔡伯荣, 胡渝, 洪永和, 任文华, Tian Rongsheng. 利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率[J]. 中国激光, 1998, 25(1): 37. 王瑞峰, 蔡伯荣, 胡渝, 洪永和, 任文华, Tian Rongsheng. Study of the Frequency Stabilization of InGaAsP Semiconductor Laser Using the Optogalvanic Effect of a Gas Absorption Cell[J]. Chinese Journal of Lasers, 1998, 25(1): 37.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!