强激光与粒子束, 2006, 18 (3): 487, 网络出版: 2006-10-19
微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术
Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA
摘要
讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si).对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽.
Abstract
袁国火, 杨怀民, 徐曦, 董秀成. 微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(3): 487. 袁国火, 杨怀民, 徐曦, 董秀成. Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18(3): 487.
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