光子学报, 2004, 33 (4): 424, 网络出版: 2006-10-25   

对偏振变动和膜厚变动脱敏的高分子波导宽带耦合器

作者单位
1 上海理工大学光电学院,上海,200093
2 霓塔光电器件上海有限公司,上海,200233
3 日本东京农工大学工学部应用化学系,日本,184-8588
摘要
针对高分子光波导制造工艺中波导芯厚度的均匀性难以控制,以及材料较大的折射率各向异性引起的偏振态依赖性的实际问题,提出了采用抗波导芯厚度误差、抗偏振变动的宽带波导耦合器回路结构的解决方案,并给出了优化设计的理论和方法.在实测了含氟聚酰亚胺薄膜的色散特性的基础上,采用该方法做了中心波长为1550 nm、带宽为120 nm的3 dB含氟聚酰亚胺波导耦合器设计.该器件的三维BPM仿真运行结果表明,在上述带宽上,波导芯厚度变动在7~8 μm的范围内,两个正交偏振态均可实现(50±1.0)% 功率输出比的良好特性.
Abstract

周建忠, 陈抱雪, 贾洪波, 赵德欣, 袁一方, 矶守. 对偏振变动和膜厚变动脱敏的高分子波导宽带耦合器[J]. 光子学报, 2004, 33(4): 424. 周建忠, 陈抱雪, 贾洪波, 赵德欣, 袁一方, 矶守. [J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2004, 33(4): 424.

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