光电工程, 2006, 33 (4): 50, 网络出版: 2007-11-14
用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓
Simulation of resist development profile using thick resist exposure model
摘要
考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异.模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论.通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想.对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s.
Abstract
段茜, 姚欣, 陈铭勇, 马延琴, 刘世杰, 唐雄贵, 杜惊雷. 用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓[J]. 光电工程, 2006, 33(4): 50. 段茜, 姚欣, 陈铭勇, 马延琴, 刘世杰, 唐雄贵, 杜惊雷. Simulation of resist development profile using thick resist exposure model[J]. Opto-Electronic Engineering, 2006, 33(4): 50.
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