光电工程, 2006, 33 (6): 37, 网络出版: 2007-11-14
不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性
Characters of ZrO2 films deposited by electron beam evaporation at different oxygen partial pressure
摘要
在不同的氧分压下用电子束热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜.用扫描探针显微镜、X射线衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、微结构和透射谱等特性进行了表征.实验发现,薄膜沉积中氧分压与薄膜性质及微结构有密切的关系.当氧分压由3.0×10-3Pa升高到11×10-3Pa,薄膜的表面粗糙度由3.012nm降低到1.562nm,而薄膜的折射率由2.06降低到2.01.此外,X射线的衍射还发现,薄膜是以四方相为主多相共存的,随着氧分压的增加,特征衍射峰强度逐渐减弱,最后完全变成非晶.
Abstract
张东平, 邵淑英, 黄建兵, 占美琼, 范正修, 邵建达. 不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性[J]. 光电工程, 2006, 33(6): 37. 张东平, 邵淑英, 黄建兵, 占美琼, 范正修, 邵建达. Characters of ZrO2 films deposited by electron beam evaporation at different oxygen partial pressure[J]. Opto-Electronic Engineering, 2006, 33(6): 37.
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