光电工程, 2006, 33 (7): 127, 网络出版: 2007-11-14
精确的一维光子晶体的带隙
Accurate forbidden band of 1-D photonic crystal
摘要
半导体材料的折射率是光频率的函数,所以在计算光子晶体的能带结构时必须考虑到色散关系.光子晶体存在光子禁带在反射谱上表现为高反射率带.本文已GaAs基材料为例,利用传输矩阵方法计算了考虑色散后的一维光子晶体的反射谱,计算结果表明考虑色散后的光子晶体禁带的宽度较不考虑色散关系的光子晶体的带隙要窄,如果光子晶体中存在缺陷则考虑色散后的光子晶体缺陷态的位置较不考虑色散关系时红移,且光子损耗较小.
Abstract
刘文楷, 安艳伟, 张常年, 张存善. 精确的一维光子晶体的带隙[J]. 光电工程, 2006, 33(7): 127. 刘文楷, 安艳伟, 张常年, 张存善. Accurate forbidden band of 1-D photonic crystal[J]. Opto-Electronic Engineering, 2006, 33(7): 127.
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