光电工程, 2005, 32 (9): 92, 网络出版: 2007-11-14   

串联RF MEMS开关的结构仿真

Structure simulation for series RF MEMS switch
作者单位
1 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
2 西昌学院,物理系,四川,西昌,615022
3 中国科学院光电技术研究所,微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209
摘要
RF微机电系统(MEMS)开关"断"状态时的隔离度依赖于其几何结构参数,因而需对其尺寸进行优化设计以获得高的隔离度.利用有限元软件HFSS对串联RF MEMS开关模型进行微波特性分析,系统研究了"断"状态下,MEMS开关的隔离度、回波损耗与其信号线宽度(w)、信号线间距(d)、气隙高度(g)、接触层面积(A)等结构参数的关系.结果表明,较小的w、较大的d、较高的g和较小的A可获得具有较小回波损耗和较大隔离度的MEMS开关.其中信号线间距对微波性能影响最大,是RF MEMS开关结构设计考虑的主要因素.设计了g=3μm,d=60μm,A=80(100μm 2,w=100μm一个RF MEMS开关,在5GHz时其回波损耗小于0.2dB,隔离度大于35dB.
Abstract

谌贵辉, 张万里, 彭斌, 蒋洪川, 赵泽宇, 候德胜. 串联RF MEMS开关的结构仿真[J]. 光电工程, 2005, 32(9): 92. 谌贵辉, 张万里, 彭斌, 蒋洪川, 赵泽宇, 候德胜. Structure simulation for series RF MEMS switch[J]. Opto-Electronic Engineering, 2005, 32(9): 92.

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