光学学报, 1997, 17 (12): 1614, 网络出版: 2006-10-31  

高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器

High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers
作者单位
长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
摘要
介绍了研究分别限制结构的(SCH)InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱(QW)结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延(LPE)技术制造。在(100)GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波长K=808 nm,阈值电流密度J=300 A/cm2,对于条宽w=100 μm的激光器,连续功率为1~2 W。对制成的激光器,进行连续1000 h的实际寿命试验,并讨论了对寿命的影响因素。
Abstract
This paper presents new results obtained recently in studies of separate confinement structure (SCH) InGaAsP/GaAs lasers. Using Russia′s technology, the InGaAsP/GaAs lasers based on QW structure can be produced by short time liquid phase epitary (STLPE) employing a modified sliding boat technique. The interface abruptness in the InGaAsP/GaAs lasers can be made comparable to the lattice constant. Using 〈100〉 GaAs substrates, InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers were fabricated and the followig values of the main parameters were obtained: lasing wavelength λ=808 nm, threshold current density J th =300 A/cm 3, CW power high to 1 ̄2 W for the laser with stripe width W=100 μm. 1000 h lifetime tests have been performed and the factors which affect the lifetime of the lasers are discussed.

朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. 高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J]. 光学学报, 1997, 17(12): 1614. 朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers[J]. Acta Optica Sinica, 1997, 17(12): 1614.

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