光学 精密工程, 2005, 13 (3): 247, 网络出版: 2006-11-03   

高功率980 nm垂直外腔面发射激光器(VECSEL)的理论研究

作者单位
1 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033
2 长春理工大学,高功率半导体激光重点实验室,吉林,长春,130022
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摘要
利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs/GaAsP/AlGaAs为有源区的980 nm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器.根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参数,优化了激光器特征参数并设计了OPS-VECSEL2结构.理论计算表明,LD泵浦的垂直外腔面发射激光器的输出功率可大于1.0 W.
Abstract

何春凤, 路国光, 单肖楠, 秦莉, 晏长岭 宁永强, 李特, 孙艳芳, 王立军. 高功率980 nm垂直外腔面发射激光器(VECSEL)的理论研究[J]. 光学 精密工程, 2005, 13(3): 247. 何春凤, 路国光, 单肖楠, 秦莉, 晏长岭 宁永强, 李特, 孙艳芳, 王立军. [J]. Optics and Precision Engineering, 2005, 13(3): 247.

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