Mo/Si多层膜残余应力的研究

向鹏; 金春水

光学精密工程, 2003, 11 (1): 62, 网络出版: 2006-11-03

Mo/Si多层膜残余应力的研究

向鹏金春水

作者单位

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,吉林,长春,130022

极紫外光刻多层膜残余应力

摘要

在极紫外光刻技术中,光学系统对多层膜光学元件表面面形精度有严格的要求,并且多层膜光学元件需要较高的反射率.由于多层膜中存在的内应力将改变光学元件的表面面形,因此在不减少反射率的前提下,一定要减少或补偿多层膜内的残余应力.论述了Mo/Si多层膜应力产生的原因和几种减少与补偿应力的技术,介绍应力的几种测量方法.

Abstract

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向鹏, 金春水. Mo/Si多层膜残余应力的研究[J]. 光学精密工程, 2003, 11(1): 62. 向鹏, 金春水. [J]. Optics and Precision Engineering, 2003, 11(1): 62.