激光技术, 2005, 29 (6): 652, 网络出版: 2006-11-14
激光处理GaN薄膜的研究
The research of laser treatment of GaN thin film
摘要
通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.
Abstract
陶华锋, 杨忠孝, 宁永功, 屠晶景, 徐洪艳. 激光处理GaN薄膜的研究[J]. 激光技术, 2005, 29(6): 652. 陶华锋, 杨忠孝, 宁永功, 屠晶景, 徐洪艳. The research of laser treatment of GaN thin film[J]. Laser Technology, 2005, 29(6): 652.
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