强激光与粒子束, 2006, 18 (8): 1375, 网络出版: 2007-01-11
高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发
Dielectronic recombination and electron collisional excitation in high-Z plasmas
摘要
采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合,对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率,以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算.计算结果表明,对于Au类Ni离子的3d10-3d94l5f-3d104l双电子复合过程以及类Cu离子的3d104l-3d94l5f电子碰撞激发过程,当电子温度高于1.0 keV时,电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加,双电子复合速率随电子温度增加而减小,并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多.
Abstract
张继彦, 郑志坚, 杨国洪, 杨家敏, 丁耀南, 韦敏习, 李军. 高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(8): 1375. 张继彦, 郑志坚, 杨国洪, 杨家敏, 丁耀南, 韦敏习, 李军. Dielectronic recombination and electron collisional excitation in high-Z plasmas[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18(8): 1375.