摘要

介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究.基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度.利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压.实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns.

补充资料

中图分类号：TL503.3

所属栏目：加速器技术

基金项目：国家自然科学基金资助课题(10175062;10575100)

收稿日期：2006-03-09

修改稿日期：2006-07-20

网络出版日期：2006-09-15

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备注：王相綦(1944-),男,研究员,研究方向为加速器物理及脉冲功率技术;wangxaqi@ustc.edu.cn.

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引用该论文

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王相綦,何宁,冯德仁,李一丁. MOSFET调制器的实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(9): 1569-1572

被引情况

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