大气与环境光学学报, 2006, 1 (2): 151, 网络出版: 2008-01-18
脉冲腐蚀法制备多孔硅及其光学特性研究
Porous Silicon Fabricated by Pulsed Etching Method and its Optical Properties
摘要
Labview软件控制腐蚀条件,用脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅薄膜,其表面形貌用原子力显微镜观察并分析.用可见-紫外分光光度仪测量其反射谱,通过计算得出各种制备条件下,多孔硅薄膜的其它光学参数,即有效折射率neff,吸收系数α,有效介电常数的实部εer和虚部εei,消光系数K.研究了入射光波长和孔隙率对这些光学常数的影响.
Abstract
李志全, 乔淑欣, 蔡亚楠, 张冉. 脉冲腐蚀法制备多孔硅及其光学特性研究[J]. 大气与环境光学学报, 2006, 1(2): 151. 李志全, 乔淑欣, 蔡亚楠, 张冉. Porous Silicon Fabricated by Pulsed Etching Method and its Optical Properties[J]. Journal of Atmospheric and Environmental Optics, 2006, 1(2): 151.
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