光子学报, 2003, 32 (12): 1506, 网络出版: 2007-09-17   

脉冲激光沉积GaN薄膜的结构和光学特性研究

Optical and Structural Properties of GaN Films Grown on Si Substrate by Excimer Pulsed Laser Deposition
作者单位
1 激光技术国家重点实验室,华中科技大学,武汉,430074
2 上海交通大学,分析测试中心,上海,200030
摘要
采用准分子脉冲激光,在Si(111)衬底上生长了带有AlN缓冲层的GaN薄膜, 利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱(PL)等测试手段研究了不同沉积温度所生长的GaN薄膜结构特征和光学性能.研究表明:沉积温度影响GaN薄膜结构和光学性能,黄带发射峰主要与晶体缺陷有关.在400~700 ℃沉积范围内随着温度升高,GaN薄膜结构和光学性能提高.
Abstract

童杏林, 郑启光, 于本海, 秦应雄, 席再军, 路庆华. 脉冲激光沉积GaN薄膜的结构和光学特性研究[J]. 光子学报, 2003, 32(12): 1506. 童杏林, 郑启光, 于本海, 秦应雄, 席再军, 路庆华. Optical and Structural Properties of GaN Films Grown on Si Substrate by Excimer Pulsed Laser Deposition[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2003, 32(12): 1506.

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