强激光与粒子束, 2007, 19 (4): 603, 网络出版: 2007-09-17   

SiO2内保护层对LiB3O5晶体倍频增透膜损伤阈值的影响

Effect of SiO2 barrier layer on laser induced damage threshold of second harmonic antireflection coatings on LiB3O5 crystal
作者单位
1 中国科学院,理化技术研究所,人工晶体研究与发展中心,北京,100080
2 中国科学院,研究生院,北京,100039
摘要
利用离子辅助电子束沉积方法在LiB3O5基底上镀制了不加SiO2内保护层和加SiO2内保护层的倍频增透膜,测量了两类薄膜在波长1 064 nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步探讨.实验结果表明:保护层的加入把由基底膜层界面缺陷吸收所决定的阈值改变到由HfO2膜层内缺陷吸收所决定的阈值,显著提高了倍频增透膜的抗激光损伤能力.
Abstract

于爱芳, 范飞镝, 刘中星, 朱镛, 陈创天. SiO2内保护层对LiB3O5晶体倍频增透膜损伤阈值的影响[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(4): 603. 于爱芳, 范飞镝, 刘中星, 朱镛, 陈创天. Effect of SiO2 barrier layer on laser induced damage threshold of second harmonic antireflection coatings on LiB3O5 crystal[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19(4): 603.

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