量子光学学报, 2003, 9 (4): 162, 网络出版: 2007-09-18
用腔场中的二能级势阱离子实现量子逻辑门
Implementation of Quantum Logic Gates Using a Two-level Trapped Ion in Cavity QED
摘要
利用光腔中的势阱粒子同时与外激光场和腔场发生相互作用的特性,我们提出了一种量子逻辑门的实现方案.在该方案中,我们采用文献[10-12]中的模型.文献[11-12]中实现的逻辑门是以离子内态和运动态作为量子比特,腔态充当辅助比特在计算过程中保持在基态.而[10]要求离子内态保持为基态,利用离子运动态和腔态构成量子比特.与文献[10-12]不同的是,我们实现的量子逻辑门是以粒子内态和腔态作为比特,而势阱离子的运动态作为辅助比特始终保持在基态.而且,我们对该方案的实验要求进行了讨论.
Abstract
李晋芳, 张志军, 黄建华, 马雷. 用腔场中的二能级势阱离子实现量子逻辑门[J]. 量子光学学报, 2003, 9(4): 162. 李晋芳, 张志军, 黄建华, 马雷. Implementation of Quantum Logic Gates Using a Two-level Trapped Ion in Cavity QED[J]. Acta Sinica Quantum Optica, 2003, 9(4): 162.
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