光学 精密工程, 2007, 15 (4): 447, 网络出版: 2008-02-18
SU-8胶紫外光刻的尺寸精度研究
Study on dimensional precision of UV-lithography on SU-8 photoresist
摘要
研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响.根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型,预测微结构的尺寸,分析了光刻参数变化对尺寸的影响.为了更好地与数值模拟结果进行比较,以硅为基底,进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究.实验分四组,实验中掩模的特征宽度分别取50 μm、100 μm、200 μm和400 μm,SU-8胶表面的曝光剂量取400 mJ/cm2.用扫描电镜测量了微结构的顶部线宽、底部线宽和SU-8胶的厚度,用MATLAB软件对紫外曝光过程中SU-8胶层内曝光剂量的分布情况进行了数值模拟,数值模拟结果与实验结果基本吻合.数值模拟结果为进一步的实验研究提供了光刻参数的参考值.
Abstract
杜立群, 秦江, 刘冲, 朱神渺, 李园园. SU-8胶紫外光刻的尺寸精度研究[J]. 光学 精密工程, 2007, 15(4): 447. 杜立群, 秦江, 刘冲, 朱神渺, 李园园. Study on dimensional precision of UV-lithography on SU-8 photoresist[J]. Optics and Precision Engineering, 2007, 15(4): 447.
PDF全文
