光电工程, 2002, 29 (5): 45, 网络出版: 2007-11-14
检测薄膜压电形变的双光束探测干涉仪的设计
Design of Double-Beam Interferometer for Detecting Piezoelectric Strain of Thin Film
摘要
为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变,同时避免基底弯曲效应的影响,设计了一种双光束探测干涉仪,通过反馈控制和锁相检测技术,实现了高稳定度、高分辨力的目标,最小可探测形变可达到0.001nm.系统采用计算机控制测量和数据处理,使测量更加便捷、准确.
Abstract
黄傲, 施柏煊, 陈王丽华. 检测薄膜压电形变的双光束探测干涉仪的设计[J]. 光电工程, 2002, 29(5): 45. 黄傲, 施柏煊, 陈王丽华. Design of Double-Beam Interferometer for Detecting Piezoelectric Strain of Thin Film[J]. Opto-Electronic Engineering, 2002, 29(5): 45.
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