光电工程, 2003, 30 (4): 1, 网络出版: 2007-11-14
微透镜列阵浮雕深度控制的新方法
A new method for control relief depth of micro-lens array
摘要
在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法--基底曝光法.在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面.该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微透镜阵列.
Abstract
董小春, 杜春雷, 潘丽, 王永茹, 刘强. 微透镜列阵浮雕深度控制的新方法[J]. 光电工程, 2003, 30(4): 1. 董小春, 杜春雷, 潘丽, 王永茹, 刘强. A new method for control relief depth of micro-lens array[J]. Opto-Electronic Engineering, 2003, 30(4): 1.
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