光子学报, 2002, 31 (2): 209, 网络出版: 2007-09-18
GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
LP-MOCVD GROWTH OF GaInP2/GaAs/Ge TWO-JUNCTION SERIES-CONNECTED TANDEM SOLAR CELLS
摘要
本文采用自制的LP-MOCVD设备,外延生长出GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池结构片,对电池材料进行了X射线衍射测试分析.另外,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线.用此材料做出的叠层太阳电池,AMO条件下光电转换效率η=13.6%,开路电压Voc=2230mV,短路电流密度Jsc=12.6mA/cm2.
Abstract
李辉, 汪韬, 李宝霞, 赛晓峰, 高鸿楷. GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长[J]. 光子学报, 2002, 31(2): 209. 李辉, 汪韬, 李宝霞, 赛晓峰, 高鸿楷. LP-MOCVD GROWTH OF GaInP2/GaAs/Ge TWO-JUNCTION SERIES-CONNECTED TANDEM SOLAR CELLS[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2002, 31(2): 209.
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