光子学报, 2002, 31 (3): 293, 网络出版: 2007-09-18
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析
GROWTH KINETIC OF SiGe/Si PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITION
摘要
本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.
Abstract
李培咸, 孙建诚, 胡辉勇. 光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析[J]. 光子学报, 2002, 31(3): 293. 李培咸, 孙建诚, 胡辉勇. GROWTH KINETIC OF SiGe/Si PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2002, 31(3): 293.
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