光子学报, 2002, 31 (10): 1216, 网络出版: 2007-09-18
紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究
THE CHARACTERISATION OF DC REACTIVE MAGNETRON SPUTTERED ZNO FILMS
摘要
采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1∶2的条件下生长出了XRD半高宽为0.1°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.
Abstract
杨晓东, 张景文, 邹玮, 侯洵. 紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究[J]. 光子学报, 2002, 31(10): 1216. 杨晓东, 张景文, 邹玮, 侯洵. THE CHARACTERISATION OF DC REACTIVE MAGNETRON SPUTTERED ZNO FILMS[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2002, 31(10): 1216.
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