光子学报, 2002, 31 (12): 1479, 网络出版: 2007-09-18
生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响
THE EFFECT OF GROWTH RATE ON LP-MOCVD GaAs/Ge HETEROSTRUCTRUES
摘要
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.
Abstract
汪韬, 李宝霞, 李晓婷, 赛小锋, 高鸿楷. 生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响[J]. 光子学报, 2002, 31(12): 1479. 汪韬, 李宝霞, 李晓婷, 赛小锋, 高鸿楷. THE EFFECT OF GROWTH RATE ON LP-MOCVD GaAs/Ge HETEROSTRUCTRUES[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2002, 31(12): 1479.