光子学报, 2002, 31 (12): 1479, 网络出版: 2007-09-18   

生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响

THE EFFECT OF GROWTH RATE ON LP-MOCVD GaAs/Ge HETEROSTRUCTRUES
作者单位
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
摘要
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.
Abstract

汪韬, 李宝霞, 李晓婷, 赛小锋, 高鸿楷. 生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响[J]. 光子学报, 2002, 31(12): 1479. 汪韬, 李宝霞, 李晓婷, 赛小锋, 高鸿楷. THE EFFECT OF GROWTH RATE ON LP-MOCVD GaAs/Ge HETEROSTRUCTRUES[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2002, 31(12): 1479.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!