光子学报, 2003, 32 (1): 121, 网络出版: 2007-09-18
深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响
The Effect of Deep Level Impurity on the Nonlinear Performances of Photoconductive Semiconductor Switches
摘要
建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.
Abstract
张同意, 石顺祥, 赵卫, 龚仁喜, 孙艳玲. 深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响[J]. 光子学报, 2003, 32(1): 121. 张同意, 石顺祥, 赵卫, 龚仁喜, 孙艳玲. The Effect of Deep Level Impurity on the Nonlinear Performances of Photoconductive Semiconductor Switches[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2003, 32(1): 121.
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