光子学报, 2003, 32 (4): 509, 网络出版: 2007-09-18
光辅助超高真空CVD系统制备SiGe 异质结双极晶体管研究
Study on Fabrication of SiGe/Si-HBT by Photo-assisted UHV-CVD
摘要
介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统,简称U3CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.
Abstract
戴显英, 胡辉勇, 张鹤鸣, 孙建诚. 光辅助超高真空CVD系统制备SiGe 异质结双极晶体管研究[J]. 光子学报, 2003, 32(4): 509. 戴显英, 胡辉勇, 张鹤鸣, 孙建诚. Study on Fabrication of SiGe/Si-HBT by Photo-assisted UHV-CVD[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2003, 32(4): 509.
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