光子学报, 2003, 32 (8): 921, 网络出版: 2007-09-18  

高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响

Heating Treatments on LP-MOCVD GaAs/Ge Solar Cells
作者单位
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学基础课部,西安,710061
摘要
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响.试验表明,在600~700℃之间高温处理效果较好.
Abstract

李晓婷, 汪韬, 赛小锋, 高鸿楷. 高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响[J]. 光子学报, 2003, 32(8): 921. 李晓婷, 汪韬, 赛小锋, 高鸿楷. Heating Treatments on LP-MOCVD GaAs/Ge Solar Cells[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2003, 32(8): 921.

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