强激光与粒子束, 2014, 26 (8): 084001, 网络出版: 2014-07-30   

光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应

Total dose effect on optocouplers subjected to different dose rate irradiation
作者单位
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
摘要
开展了光电耦合器在0.01, 0.1, 1.0和50 rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60Coγ)辐照实验, 结果表明: γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降, 辐照到相同总剂量, 电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下, 通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试, 以及耦合介质传输损耗特性的分析, 证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。
Abstract
60Coγ irradiation on optocouplers is examined at dose rate of 0.01, 0.1, 1.0 and 50 rad/s. The experimental results show that current transfer ratio decreases after exposure and the amplitude of degradation at a given total dose depends on the dose rate, namely more degradation with lower dose rate. The I-V characteristics of LED, gain and primary photocurrent of phototransistor, and transmission loss in optical coupling medium are tested and analyzed, which lead to a conclusion that photoresponse degradation in C-B region of phototransistor is the main contribution to CTR degradation of optocouplers.

黄绍艳, 刘敏波, 姚志斌, 盛江坤, 肖志刚, 何宝平, 王祖军, 唐本奇. 光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26(8): 084001. Huang Shaoyan, Liu Minbo, Yao Zhibin, Sheng Jiangkun, Xiao Zhigang, He Baoping, Wang Zujun, Tang Benqi. Total dose effect on optocouplers subjected to different dose rate irradiation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26(8): 084001.

本文已被 1 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!