光电工程, 2007, 34 (11): 50, 网络出版: 2008-02-18   

离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响

Influence of fabrication error in ion beam etching on diffractive optical element
作者单位
1 中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026
2 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230027
3 中国科学院量子信息重点实验室,安徽,合肥,230026
摘要
针对衍射光学元件(DOE)的离子束刻蚀工艺,结合掩模套刻过程实例,本文提出了刻蚀误差面形分布的概念.在标量衍射的夫琅和费原理上,进行了误差数值模拟分析及讨论.模拟分析和实验数据结果表明,误差的面形分布在DOE器件的衍射焦斑中心会产生一个明显的光强畸变毛刺亮点,严重破坏了靶场照明的均匀性.
Abstract

刘强, 张晓波, 邬融, 田杨超, 李永平. 离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响[J]. 光电工程, 2007, 34(11): 50. 刘强, 张晓波, 邬融, 田杨超, 李永平. Influence of fabrication error in ion beam etching on diffractive optical element[J]. Opto-Electronic Engineering, 2007, 34(11): 50.

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