光子学报, 2008, 37 (4): 682, 网络出版: 2008-07-08  

入射光参量对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响

Influence of Incident Parameter on Beam Fanning Effect in Ce: KNSBN Crystal
作者单位
1 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
2 华北电力大学,河北,保定,071002
摘要
采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2 mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强,如:入射光强度为38.2 mW/cm2时,Ifsat最大为0.7 mW/cm2;入射光强度为57.3 mW/cm2时,Ifsat最大为1.8 mW/cm2.
Abstract

李盼来, 郭庆林, 王志军, 张金平, 梁宝来, 魏丽静, 李旭. 入射光参量对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响[J]. 光子学报, 2008, 37(4): 682. 李盼来, 郭庆林, 王志军, 张金平, 梁宝来, 魏丽静, 李旭. Influence of Incident Parameter on Beam Fanning Effect in Ce: KNSBN Crystal[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2008, 37(4): 682.

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