红外与毫米波学报, 2007, 26 (1): 69, 网络出版: 2008-08-17  

铬掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷的XRD和Raman散射分析

XRD AND RAMAN SCATTERING ANALYSIS ON CHROMIUMDOPED 0.2PZN-0.8PZT PIEZOCERAMICS
作者单位
1 河南工业大学,材料科学与工程学院,河南,郑州,450007
2 信息工程大学,测绘学院,河南,郑州,450052
摘要
采用XRD与Raman散射研究了Cr掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷微观结构的变化.Cr掺杂导致三方-四方相变和晶体四方度增大,Raman散射关于晶格参数和相结构的分析得到了XRD的验证.通过研究不同结构中Raman振动模式,可揭示掺杂诱导的两相共存压电陶瓷微观结构的变化.
Abstract

路朋献, 许德合, 马秋花, 王改民, 侯永改, 周文俊, 栗政新. 铬掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷的XRD和Raman散射分析[J]. 红外与毫米波学报, 2007, 26(1): 69. 路朋献, 许德合, 马秋花, 王改民, 侯永改, 周文俊, 栗政新. XRD AND RAMAN SCATTERING ANALYSIS ON CHROMIUMDOPED 0.2PZN-0.8PZT PIEZOCERAMICS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2007, 26(1): 69.

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