红外与毫米波学报, 2007, 26 (5): 344, 网络出版: 2008-08-17
应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究
STUDY ON MATCHING RESISTOR OF 40GB/S HIGH-SPEED SUBMOUNTS
摘要
针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6 Ω·cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.
Abstract
张明俊, 孙长征, 蔡鹏飞, 熊兵, 罗毅. 应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究[J]. 红外与毫米波学报, 2007, 26(5): 344. 张明俊, 孙长征, 蔡鹏飞, 熊兵, 罗毅. STUDY ON MATCHING RESISTOR OF 40GB/S HIGH-SPEED SUBMOUNTS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2007, 26(5): 344.
PDF全文
