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应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究

STUDY ON MATCHING RESISTOR OF 40GB/S HIGH-SPEED SUBMOUNTS

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摘要

针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6 Ω·cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.

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补充资料

中图分类号:TN454

基金项目:国家自然科学基金 (60536020, 60390074),"973"重大国家基础研究计划 (2006CB302801)

收稿日期:2006-12-21

修改稿日期:2007-06-18

网络出版日期:0001-01-01

作者单位    点击查看

张明俊:清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
孙长征:清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
蔡鹏飞:清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
熊兵:清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
罗毅:清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084

备注:张明俊(1983-),男,江西九江人,硕士研究生,主要研究方向为40Gb/s高速集成光源模块封装.

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引用该论文

张明俊,孙长征,蔡鹏飞,熊兵,罗毅. STUDY ON MATCHING RESISTOR OF 40GB/S HIGH-SPEED SUBMOUNTS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2007, 26(5): 344-348

张明俊,孙长征,蔡鹏飞,熊兵,罗毅. 应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究[J]. 红外与毫米波学报, 2007, 26(5): 344-348

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