光子学报, 2008, 37 (5): 883, 网络出版: 2008-08-19   

微腔中单量子点的受激辐射行为研究

Stimulated Emission Behavior of Single Quantum Dot in Microcavity
作者单位
1 南昌大学,近代物理研究所,南昌,330047
2 南昌大学,纳米技术工程研究中心,南昌,330047
3 北京大学,物理系,北京,100080
摘要
研究了微腔中单模光场与一个三能级量子点相互作用系统.利用系统主方程作数值模拟计算微腔中单量子点的净受激辐射率随量子点和腔模耦合强度的变化,同时研究激光能级间衰减率γ23对净受激辐射率的影响.发现净受激辐射率随泵浦强度增大而呈现较快趋于饱和的曲线,这些饱和曲线随着耦合强度的增加又较快地趋于一个极值.而激光能级间衰减率γ23的增大使该激光的净受激辐射率的曲线组表现出相反的规律.
Abstract
作者简介:刘正东,Tel:0791-88304515 Email:lzdgroup@ncu.edu.cn

廖庆洪, 刘正东, 尤素萍, 曹昌祺. 微腔中单量子点的受激辐射行为研究[J]. 光子学报, 2008, 37(5): 883. 廖庆洪, 刘正东, 尤素萍, 曹昌祺. Stimulated Emission Behavior of Single Quantum Dot in Microcavity[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2008, 37(5): 883.

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