光子学报, 2008, 37 (5): 996, 网络出版: 2008-08-19
L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究
Annealing Effect on ZnO Thin Films Grown by Laser-MBE
摘要
研究了空气退火对于激光分子束外延(L-MBE)法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析(GIXA)技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEED衍射图样表明,薄膜经过380℃及600℃原位退火后,其表面仍然较为粗糙.而XRD在面(in-plane)Φ扫描结果显示出经过800℃空气退火之后,薄膜具有更好的外延取向性.GIXA分析结果表明,800℃退火后ZnO薄膜的表面方均根粗糙度从退火前的1.13 nm下降为0.37 nm;同时ZnO/Al2O3界面粗糙度从2.10 nm上升为2.59 nm.ZnO室温PL结果显示,退火后薄膜紫外近带边发光强度比退火前增大了40倍,并出现了源于电子-空穴等离子体(EHP)复合的N带受激发射峰,激发阈值约为200 kW/cm2.
Abstract
作者简介：张景文,Tel:029-82663122 Email:jwzhang@mail.xjtu.edu.cn
杨晓东, 张景文, 王东, 毕臻, 侯洵. L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究[J]. 光子学报, 2008, 37(5): 996. 杨晓东, 张景文, 王东, 毕臻, 侯洵. Annealing Effect on ZnO Thin Films Grown by Laser-MBE[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2008, 37(5): 996.
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