光学学报, 2009, 29 (8): 2343, 网络出版: 2009-08-17   

抽运-探测反射技术研究本征CdTe的载流子动力学

Carrier Dynamics of Intrinsic CdTe by Pump-Probe Reflection Spectroscopy
作者单位
上海大学理学院物理系 上海 200444
摘要
采用抽运-探测反射技术, 研究了室温下本征CdTe晶体的光致非平衡载流子布局与光子能量和抽运光强的关系。根据实验结果, 发现随着抽运光光子能量的提高, 快过程在载流子弛豫过程中所占的比例增大; 随着抽运光功率的提高, 反射率随之增大, 快过程时间常数也随之增大。通过建立简单的本征半导体受激载流子弛豫过程模型, 讨论了载流子散射、载流子-声子相互作用和载流子复合等的贡献。在抽运光光子能量为1.49 eV(比CdTe的禁带宽度约高20 meV)时, 通过双指数函数拟合, 得到了本征CdTe中载流子弛豫过程的快、慢时间常数, 分别为2.8 ps和158.3 ps。
Abstract
The transient carrier dynamics of intrinsic CdTe was investigated by time-resolved femtosecond pump-probe reflection spectroscopy method (PPR) at different wavelengths and powers. The experimental results show that the percentage of the rapid process in carrier relaxation process grows with the increase of the pumped photon energy. The rapid process constant and reflectivity increase when the pumped optical power increases. The model of ultrafast carrier dynamics in intrinsic semiconductor was developed, and the effects of carrier initial scattering, carrier-LO phonon interaction and carrier trapping on carrier relaxation properties were analyzed. The curve of the PPR at the photon energy of 1.49 eV (~20 mV more than the band gap of CdTe ) is measured, the fast time constant and the slow one are 2.8 ps and 158.3 ps respectively.

金钻明, 马红, 李栋, 马国宏. 抽运-探测反射技术研究本征CdTe的载流子动力学[J]. 光学学报, 2009, 29(8): 2343. Jin Zuanming, Ma Hong, Li Dong, Ma Guohong. Carrier Dynamics of Intrinsic CdTe by Pump-Probe Reflection Spectroscopy[J]. Acta Optica Sinica, 2009, 29(8): 2343.

本文已被 4 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!