光学 精密工程, 2008, 16 (8): 1367, 网络出版: 2010-02-28   

用电化学方法消除4J32镜头组件的杂散光

Suppressing stray light for 4J32 alloy by electrochemistry
作者单位
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130031;中国科学院 研究生院,北京 100049
2 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130031
3 吉林大学,吉林 长春 130025
摘要
研究了采用电化学方法消除精密光学系统4J32合金镜头组件中杂散光的实验。利用正交实验法在重铬酸盐体系中确定了主盐浓度,并研究了电压、电解液温度、时间等因素对镜头组件的消杂散光性能和消光膜层质量的影响,确定了最佳工艺为重铬酸钾:20 g/L、硫酸锰:20 g/L、硫酸铵:20 g/L、添加剂15 g/L,温度:25~35℃,3 V/min升压速率处理20~30 min。经最佳工艺处理后,4J32合金呈黑色,反射率<1.5%、耐蚀性为240 s、膜层附着力为7.9 N、尺寸变化<0.8μm。结果表明,所得到的消光膜能够满足精密光学系统对零件尺寸精度及表面消光膜层的质量要求。
Abstract
In order to realize stray light suppressing for 4J32 alloy in fine optical system,the stray light suppressing coatings were prepared on 4J32 alloy from a conventional anodisation-plating bath containing Ce and dual salt additive.The bath formula and rational process parameters were investigated using a orthogonal test.By testing the influences of concentrations of K2Cr2O7,MnSO4and(NH4)2SO4 in electrolyte solution,galvanic voltage,operating temperature and anodizing time on the anodizing films of 4J32 alloys,the optimal process conditions were gained as follows:20 g/L K2Cr2O7,20 g/L MnSO4,20 g/L(NH4)2SO4,15 g/L Ce and dual salt additive,temperature of 25 ℃,last time of 20 min and voltage of 30 V.A black stray light suppressing film was obtained with the process.The results of reflection testing,thick testing and shock testing show that 4J32 stray light suppressing coating has a low-reflecting ratio(1.5%),a few dimension change(<0.8 μm) and good adhesion to substrate,and it is suitable to suppress the stray light in fine optic system.

姜伟, 张云琨, 张忠玉, 任明文. 用电化学方法消除4J32镜头组件的杂散光[J]. 光学 精密工程, 2008, 16(8): 1367. JIANG Wei, ZHANG Yun-Kun, ZHANG Zhong-yu, REN Ming-Wen. Suppressing stray light for 4J32 alloy by electrochemistry[J]. Optics and Precision Engineering, 2008, 16(8): 1367.

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