光子学报, 2009, 38 (6): 1340, 网络出版: 2010-05-10  

GaN基LED溢出电流的模拟

Simulation of Overflow Current of GaN Based Light Emitting Diodes
作者单位
华南师范大学 光电子材料与技术研究所,广州 510631
摘要
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
Abstract
The equation of an overflow current was derived based on MQW model by analyzing the facts of inpactoin the electrons overflow.The effect of the forward bias and the polarization on overflow current was investigated,The research result shows that polarization let energy band bowed,then electrons overflow MQW,consequently the overflow current increase rapidly;and the influence of heat removal to the overflow current.

李军, 范广涵, 刘颂豪, 姚光锐, 杨昊, 胡胜蓝. GaN基LED溢出电流的模拟[J]. 光子学报, 2009, 38(6): 1340. LI Jun, FAN Guang-han, LIU Song-hao, YAO Guang-rui, YANG Hao, HU Sheng-lan. Simulation of Overflow Current of GaN Based Light Emitting Diodes[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2009, 38(6): 1340.

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