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HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制

CONTROL OF SURFACE DEFECTS IN HgCdTe FILM GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY

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摘要

研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明, 大部分表面凹陷点(void)缺陷的形 成是由衬底的蜡沾污所引入的, 而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的, 通过控制外 延生长前的衬底处理过程, 可以抑制这两类缺陷, 从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜.

Abstract

Liquid phase epitaxy is a developed technique for the growth of HgCdTe films. Two kinds of macro defects on the surface of HgCdTe film were studied. It was demonstrated that the origin of the void defects was related to the wax contamination on CdZnTe substrate, while the defects of hill-like were due to the CdZnTe particles detached from the edge of the CdZnTe substrate. Through the fine controlling during the substrate preparation, these two kinds of defects can be depressed and the high quality HgCdTe films with zero defect density can be obtained.

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补充资料

中图分类号:O484.1

基金项目:国家自然科学基金(60876012, 60606026)资助项目

收稿日期:2008-10-31

修改稿日期:2009-01-14

网络出版日期:0001-01-01

作者单位    点击查看

魏彦锋:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
徐庆庆:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
陈晓静:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
张传杰:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
孙士文:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
方维政:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
杨建荣:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083

备注:魏彦锋 (1971-), 男, 河北晋州人, 副研究员, 理学博士, 研究方向为红外半导体材料外延技术和高性能红外探测器制备

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引用该论文

WEI Yan-Feng,XU Qing-Qing,CHEN Xiao-Jing,ZHANG Chuan-Jie,SUN Shi-Wen,FANG Wei-Zheng,YANG Jian-Rong. CONTROL OF SURFACE DEFECTS IN HgCdTe FILM GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2009, 28(4): 246-248

魏彦锋,徐庆庆,陈晓静,张传杰,孙士文,方维政,杨建荣. HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制[J]. 红外与毫米波学报, 2009, 28(4): 246-248

被引情况

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