摘要

在讨论光栅外腔半导体激光器理论的基础上，对影响Littrow型光栅外腔半导体激光器输出功率和线宽压窄的各种因素进行了数值模拟分析。研制了单纵模高质量激光输出的Littrow型光栅外腔半导体激光器,在工作电流为400 mA时，连续输出功率达到180 mW,线宽优于1 MHz。

Abstract

The theory of grating external cavity semiconductor lasers is discussed, and the influences of different factors on the output power and linewidth reduction of the Littrow-type external cavity semiconductor lasers are numerically simulated. The Littrow-type grating external cavity semiconductor laser is set up, and single longitudinal mode and highly-equality laser output is realized. The continuous output power is achieved with 180 mW at working current of 400 mA and the spectrum linewidth is less than 1 MHz.

补充资料

中图分类号：TN248.4

DOI：10.3788/lop48.031402

所属栏目：激光器与激光光学

基金项目：第二批中国博士后科学基金特别资助（200902129）资助课题）

收稿日期：2010-08-20

修改稿日期：2010-10-31

网络出版日期：0001-01-01

作者单位    点击查看

联系人作者：雷平顺(leipingshun@semi.ac.cn)

备注：雷平顺(1980—)，硕士研究生，主要从事外腔半导体激光器及光学设计等方面的研究。

【1】Bob Shine. Tunable diode lasers stand up to research and commercial applications ［J］. Photonics Spectra, 1999, 33(1): 102～105

【2】Ge Jianhong, Xiang Zhen, Liu Chong et al.. Investigation of beam quality of external cavity laser diodes［J］. Chinese J. Lasers, 2006, 33(12): 1061～1064
葛剑虹, 项震, 刘崇 等. 外腔半导体激光器的空间模式特性分析［J ］. 中国激光, 2006, 33(12): 1061～1064

【3】Bo Baoxue, Gao Xin, Qiao Zhongliang et al.. Characteristics of high power volume-Bragg-grating external cavity semiconductor lasers ［J］. Chinese J. Lasers, 2008, 35(4): 501～504
薄报学, 高欣, 乔忠良 等. 大功率体光栅外腔半导体激光器的输出特性［J］. 中国激光, 2008, 35(4): 501～504

【4】Guan Hua, Huang Guilong, Xuang Xueren et al.. Construction of the tunable diode laser based on Littrow configuration［J］. Chinese J. Lasers, 2007, 34(1): 33～36
管桦, 黄贵龙, 黄学人 等. 基于Littrow结构的可调谐半导体激光器［J］. 中国激光, 2007, 34(1): 33～36

【5】Jiang Pengfei. Study on the Spectral Characteristics of Grating External-Cavity Semiconductor Lasers ［D］. Beijing: Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences,2006
江鹏飞. 光栅外腔半导体激光器的光谱特性研究：［D］.北京：中国科学院半导体研究所, 2006

【6】B. Mroziewicz. External cavity wavelength tunable semiconductor laser-a review ［J］. Opto-Electronics Review, 2008, 16(4): 347～366

【7】Li Liping, Xiong Guisheng, Chen Jingbiao. Commercialized series of external cavity diode laser ［J］. Acta Optica Sinica, 2008, 28(s1): 54～57
李利平, 熊桂生, 陈景标. 首批系列化国产外腔半导体激光器［J］. 光学学报, 2008, 28(s1): 54～57

【8】Jiang Pengfei, Zhou Yan, Xie Fuzeng. Study of blaze grating feedback external-cavity semiconductor laser with narrow-linewidth ［J］. Optical Technique, 2006, 32(6): 869～878
江鹏飞, 周燕, 谢福增. 闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究［J］. 光学技术, 2006, 32(6): 869～878

【9】Su Zhouping, Lou Qihong, Dong Jingxing et al.. Linewidth-narrowed, tunable laser diode array ［ J ］. Chinese J. Lasers, 2007, 34(6): 751～754
苏宙平, 楼祺洪, 董景星 等. 激光二极管阵列的窄线宽、可调谐输出［J ］. 中国激光, 2007, 34(6): 751～754

引用该论文

Lei Pingshun,Xue Lifang,He Jun,Zeng Hualin,Fu Yuegang,Zhou Yan. Output Characteristics of Littrow-Type Grating External Cavity Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2011, 48(3): 031402

雷平顺,薛力芳,何军,曾华林,付跃刚,周燕. Littrow型光栅外腔半导体激光器的输出特性分析[J]. 激光与光电子学进展, 2011, 48(3): 031402

被引情况

【1】田锟,邹永刚,马晓辉,杨晶晶. 复合外腔半导体激光器的阈值增益研究. 激光与光电子学进展, 2015, 52(11): 111404--1