液晶与显示, 2011, 26 (1): 44, 网络出版: 2011-02-21   

基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件

Yellow Organic Light-Emitting Devices Based on NPBX Doped CzHQZn
作者单位
1 吉林师范大学 信息技术学院,吉林 四平 136000
2 华南理工大学 化学与化工学院,广东 广州 510640
摘要
利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl) quinolato-zinc, CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30 nm)/NPBX∶25%CzHQZn(x nm)/BCP(10 nm)/Alq3 (60-x) nm/ LiF(0.5 nm)/Al的有机发光器件(x 为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30 nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60 nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20 nm,Alq3的厚度是40 nm,其他层厚度保持不变时,器件在4 V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078 cd/m2。在14 V的电压下,器件最大发光亮度为449 0 cd/m2, 最大发光效率为0.98 cd/A。
Abstract
The performance of yellow organic light-emitting devices (OLEDs) based on a novel material [(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl) quinolato-zinc (CzHQZn)] with an emitting/hole-transporting layer as an acceptor was investigated. These devices were fabricated as follows: ITO/2T-NATA(30 nm)/NPBX∶25% CzHQZn(x nm)/BCP(10 nm)/Alq3(60-x) nm/LiF(0.5 nm)/Al(x: the thickness of doping layer). The x is 15,20,25,30 nm, respectively, the thickness of Alq3 is correspondingly changed, the total thickness of doping layer and Alq3 is a constant of 60 nm.When x is 20 nm, the thickness of Alq3 is 40 nm, a yellow OLED can be obtained with the CIE coordinates of (0.514 6,0.470 5),the luminance of 1.078 cd/m2 at 4 V. The maximum luminance is 449 0 cd/m2 at 14 V, and the maximum luminous efficiency is 0.98 cd/A.

高永慧, 姜文龙, 丁桂英, 丛林, 孟昭晖, 欧阳新华, 曾和平. 基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件[J]. 液晶与显示, 2011, 26(1): 44. GAO Yong-hui, JIANG Wen-long, DING Gui-ying, CONG Lin, MENG Zhao-hui, OUYANG Xin-hua, ZENG He-ping. Yellow Organic Light-Emitting Devices Based on NPBX Doped CzHQZn[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2011, 26(1): 44.

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