强激光与粒子束, 2011, 23 (3): 806, 网络出版: 2011-04-01   

激光干涉光刻法制作100 nm掩模

Fabrication of 100 nm mask by laser interference lithography
作者单位
1 电子科技大学 物理电子学院, 成都 610054
2 中国科学院 光电技术研究所, 微细加工光学国家重点实验室, 成都 610209
摘要
介绍了一种利用激光干涉光刻技术得到特征图形,并通过离子束刻蚀将图形转移到铬层上,从而获得掩模的方法。针对掩模透光率以及对干涉图形对比度可能产生影响的两个参数分别进行了数值仿真,从而证明此方法的可行性和参数的优化选择。自搭干涉光刻实验系统,用257 nm的激光光源实现光刻,得到特征尺寸为100 nm的图形,再经过离子束刻蚀,最终得到周期200 nm、线宽100 nm的掩模。
Abstract
This paper presents a mask fabrication method, which uses laser interference lithography to prepare interference patterns, and then transfers the patterns to the chromium layer by ion beam etching (IBE) to gain the mask. A series of rigorous numerical simulations have been done on the light transmission rate of the mask and two parameters that may affect the contrast of interference patterns for parameter optimization. An interference lithography system was constructed with 257 nm laser light source, and patterns with feature size of 100 nm were developed. Then masks with period of 200 nm and line width of 100 nm were obtained by IBE.

陈欣, 赵青, 方亮, 王长涛, 罗先刚. 激光干涉光刻法制作100 nm掩模[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(3): 806. Chen Xin, Zhao Qing, Fang Liang, Wang Changtao, Luo Xiangang. Fabrication of 100 nm mask by laser interference lithography[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23(3): 806.

本文已被 5 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!