激光与光电子学进展, 2011, 48 (5): 051601, 网络出版: 2011-05-10  

离子辐照引起Eu掺杂氧化镁的发光特性

Photoluminescence of Eu-Doped MgO Irradiated with Xe Ions
作者单位
1 中国科学院近代物理研究所, 甘肃 兰州 730000
2 兰州大学物理科学与技术学院, 甘肃 兰州 730000
摘要
利用320 kV高压综合实验平台,通过6 MeV Xe离子辐照Eu掺杂氧化镁(MgO)单晶样品对其光致发光现象进行了研究。Xe离子辐照后,样品380~550 nm的发光带出现先减弱后增强的现象,400~450 nm处出现了平坦的较宽的蓝色发光带,经拉曼光谱和红外光谱的综合分析可知离子辐照能够使掺杂的Eu很好的进入晶体内部形成稳定的缺陷类型,产生更好的发光效果。
Abstract
Eu-doped MgO single crystals irradiated with 6 MeV Xe ions using 320 kV high voltage experimental platform are investigated by fluorescence spectroscopes. Photoluminescence (PL) intensity of Eu-doped MgO becomes stronger than that of MgO. PL peaks located at 380~550 nm decrease in PL spectra of Eu-doped MgO irradiated with small dose, the intensity of the emission band becomes strong when irradiation dose increases up to 5×1015/cm2. Those photoluminescence phenomena are explained by Fourier transform infrared spectra and Raman spectra.

宋银, 张崇宏, 杨义涛, 李炳生, 马艺准, 缑洁, 姚存峰, 贺德衍. 离子辐照引起Eu掺杂氧化镁的发光特性[J]. 激光与光电子学进展, 2011, 48(5): 051601. Song Yin, Zhang Chonghong, Yang Yitao, Li Bingsheng, Ma Yizhun, Gou Jie, Yao Cunfeng, He Deyan. Photoluminescence of Eu-Doped MgO Irradiated with Xe Ions[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2011, 48(5): 051601.

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