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InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术

Mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice grown by molecular beam epitaxy

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摘要

报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料,材料77 K截止波长为4.87 μm.

Abstract

The growth of mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice on GaSb substrates by molecular beam epitaxy (MBE)was studied. We optimized the substrate temperature and interface structures to obtain high quality material. The InAs/GaSb superlattice layers were characterized by Atomic Force Microscope(AFM), high resolution X-ray diffraction (XRD) and Fourier Transform Infrared Spectrum. We found the optimal substrate temperature for GaSb and superlattice is 485℃ and 450℃ respectively. We finally obtained highly lattice matched InAs/GaSb materials with 50% cut-off wavelength at 4.84 μm at 77 K.

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补充资料

中图分类号:TN213

收稿日期:2010-11-01

修改稿日期:2011-05-24

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作者单位    点击查看

徐庆庆:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
陈建新:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
周易:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
李天兴:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
吕翔:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
何力:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083

联系人作者:徐庆庆(xuqq@mail.sitp.ac.cn)

备注:徐庆庆 (1978-),女,上海松江人,助理研究员,理学硕士,研究方向为红外半导体材料外延技术和高性能红外探测器制备,

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引用该论文

XU Qing-Qing,CHEN Jian-Xin,ZHOU Yi,LI Tian-Xing,LV Xiang,HE Li. Mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice grown by molecular beam epitaxy[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2011, 30(5): 406-409

徐庆庆,陈建新,周易,李天兴,吕翔,何力. InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术[J]. 红外与毫米波学报, 2011, 30(5): 406-409

被引情况

【1】余连杰,邓功荣,苏玉辉. InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe红外探测器的比较研究. 红外技术, 2012, 34(12): 683-689

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