发光学报, 2013, 34 (3): 308, 网络出版: 2013-04-07   

氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响

Effects of Ar and H2 Plasma Treatment on The Surface Character and Luminescence Properties of GaAs Substrates
作者单位
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春130022
摘要
介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺, 深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层, 并活化表面性能的基本原理, 同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明, 在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min, 溅射功率为20 W, 清洗时间为15 min的条件下, GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%, 样品表面的As—O键和Ga—O键基本消失。
Abstract
A new plasma cleaning process for GaAs surface using Ar/H2 plasma was introduced in this paper. The process for Ar/H2 plasma cleaning and surface activation was studied comprehensively to remove various contaminants, oxide layer on GaAs surface, and the influence of Ar/H2 plasma under different plasma parameters was discussed in detail. The results show that GaAs samples treated under the condition of Ar, H2 flow rate 10, 30 cm3/min, sputtering power 20 W and cleaning time 15 min give the best cleaning effect, the photoluminescence intensity increases by 139.12%, and the As—O and Ga—O bonds on the GaAs surface decrease greatly.

王云华, 周路, 乔忠良, 高欣, 薄报学. 氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响[J]. 发光学报, 2013, 34(3): 308. WANG Yun-hua, ZHOU Lu, QIAO Zhong-liang, GAO Xin, BO Bao-xue. Effects of Ar and H2 Plasma Treatment on The Surface Character and Luminescence Properties of GaAs Substrates[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(3): 308.

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